| Titre : | Modélisation numérique de la photoconductivité modulée avec inclusion du processus de phototransport par saut"hopping dans le silicium amorphe hydrogéné (a-si:h) |
| Auteurs : | Nadia Guedidi, Auteur ; Souad Tobbeche, Auteur |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Kheider, 2012 |
| Format : | 74p / 30cm |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Photoconductivité modulée,a-Si :H," Multitrapping "," Hopping " |
| Résumé : |
Ce travail a pour but de simuler numériquement la photoconductivité modulée dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si :H) et par conséquent son utilité dans la détermination de la densité des états localisés dans le gap de ce matériau. Ce travail est basé sur les deux mécanismes de transport de "multitrapping" et de saut dans une simulation numérique de la photoconductivité modulée qui tient compte, des conditions de température, de la densité des états introduites et de l’excitation de la lumière. La simulation numérique de la photoconductivité modulée (PCM) nécessite en premier lieu la simulation du régime stationnaire. Pour cela, nous avons commencé notre travail par la simulation de la photoconductivité en régime stationnaire (PCS). Les courbes de la PCS en fonction de la température ainsi simulée dans le cas d’un échantillon intrinsèque se trouvent en bon accord avec les résultats expérimentaux correspondants. Les contributions des deux mécanismes de transport ("multitrapping", saut) dans la photoconductivité stationnaire en fonction de la température, de la densité des états et de l’excitation de la lumière sont aussi examinées. La simulation numérique de la photoconductivité modulée nous a permis de calculer la DOS reconstruite pour différentes températures. L'effet de la densité des états introduite et l’effet de l’excitation de la lumière sur les deux processus de conduction ("multitrapping", saut) sont aussi éxaminéesdans la PCM. Les courbes de la PCM obtenues par simulation se trouvent en accord avec les résultats expérimentaux de la PCM dans l’a-Si :H |
| Sommaire : |
Introduction générale 1 Chapitre 1: Propriétés du silicium amorphe 1.1 Introduction 3 1.2 Semiconducteur amorphe 3 1.2.1 Structure cristalline parfaite 3 1.2.2 Structure Amorphe 4 1.3 Le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) 4 1.3.1 Structure du silicium amorphe 4 1.3.2 Propriétés électroniques du silicium amorphe 6 1.3.3 Structure de bande et densité des états 6 1.3.4 Etats de queues de bandes 7 1.3.5 Etats des liaisons pendantes 8 1.4 Méthode de dépôt du a-Si:H 10 1.5 Absorption optique du a-Si :H 11 Références 13 Chapitre 2: Mécanisme de conduction dans les semiconducteurs amorphes 2.1 Introduction 14 2.2 Conduction dans les états étendus 14 2.3 Conduction dans les bandes d’états localisés 15 2.3.1 Conductivité dans les queues de bande 16 2.3.2 Conduction dans les états localisés profonds 17 2.3.3 Conductivité dans le cas du saut au plus proche voisin 18 2.3.4 Conductivité selon le modèle du saut à distance variable 19 Références 21 Chapitre 3: Technique du photocourant modulé et calcul de la DOS dans le gap 3.1 Introduction 22 3.2 Notions élémentaires sur la photoconductivité 22 3.2.1 Absorption et recombinaison 22 3.2.2 Conductivité et photoconductivité 25 3. 3 Analyse générale du photocourant modulé 25 3.3.1 Expressions du déphasage et du module du photocourant modulé 28 3.3.2 Détermination de la densité des états 30 3.4 Montage expérimental de la technique du photocourant modulé 35 Références 38 Chapitre 4: Simulation numérique de la photoconductivité modulée 4.1 Introduction 39 4.2 Processus de piégeage multiple 39 4.3 Processus de saut 40 4.4 Modélisation numérique de la photoconductivité modulée 42 4.4.1 Equations du modèle 42 4.4.2 Méthode de résolution 44 4.5 Calcul de la photoconductivité et de la densité des états g(E) 46 Références 51 Chapitre 5: Résultats et discussions 5.1 Introduction 52 5.2 Résultats et interprétations 52 5.2.1 Photoconductivité à l’état stationnaire (PCS) 52 5.2.1.1 Influence de la température sur les processus de conduction (MT, saut) 55 5.2.1.2 Influence de la densité des états sur les processus de conduction (MT, saut) 56 5.2.1.3 Influence de l’excitation de la lumière sur la photoconductivité 59 5.2.2 Photoconductivité modulée 62 5.2.2.1 Effet de la DOS sur la MPC en présence des deux processus de transport 64 5.2.2.2 Effet de l’excitation de la lumière sur la photoconductivité modulée 66 5.2.3 Densité des états mesurée par la technique du photocourant modulé 70 Références 72 Conclusion 73 |
Disponibilité (1)
| Cote | Support | Localisation | Statut | Emplacement | |
|---|---|---|---|---|---|
| TH/0307 | Mémoire de magistere | BIB.FAC.ST. | Empruntable | Salle de mémoires et de théses |
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