| Titre : | Optoélectronique appliquée : mesures, instruments, modèles |
| Auteurs : | Yannick Deshayes, Auteur |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Paris [France] : Ellipses, impr. 2014 |
| Collection : | Technosup (Paris), ISSN 1275-3955 |
| ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-340-00127-5 |
| Format : | 1 vol. (277 p.) / ill., couv. ill. / 26 cm |
| Note générale : | Bibliogr., 1 p. Index |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | 621.381 045 |
| Catégories : |
[Agneaux] Optoélectronique |
| Résumé : |
L'ouvrage développe la mise en oeuvre des mesures des caractéristiques électriques et optiques des composants optoélectroniques, depuis la réalisation des appareils de mesure jusqu'à l'obtention des résultats.
Le coeur du livre est le chapitre 4 qui détaille les différentes mesures et analyse les résultats. Il précise également les démarches nécessaires pour vérifier le bienfondé des mesures ainsi que les limites des modèles pour une approche numérique. Préalablement, le chapitre 1 développe les différentes technologie des diodes électroluminescentes et les procédés de fabrications. Les chapitres 2 et 3 présentent les différents modèles de base, électriques puis optiques. On décrit également les différents appareils nécessaires à la mesure et à l'établissement d'une caractéristique courant-tension, puissance optique-courant et spectre optique. Enfin, le chapitre 5 revient sur la physique du solide pour en extraire les modèles présentées dans les chapitres précédents. Ce chapitre, plus théorique, présente des difficultés élevées pour les non-initiés à la mécanique quantique. Les différents modèles sont présentés de manière pédagogique suivant une difficulté croissante et certains résultats portent sur les nouvelles technologies type GaN. L'ouvrage : niveau C (Master - Écoles d'ingénieurs - Recherche) |
| Sommaire : |
Chapitre 1 - Les dispositifs optoélectroniques à DELs 7
1. Les technologies optoélectroniques 8 1.1. Les différents matériaux 8 1.2. Les techniques d’élaboration 11 1.3. Les techniques d’assemblage 21 2. Les structures à semiconducteurs 28 2.1. Les structures à homojonction 28 2.2. Les hétérostructures 30 3. Les applications 37 3.1. Quelques définitions de base 37 3.2. Les technologies du proche infrarouge 38 3.3. Les technologies du visible 42 4. Conclusion 46 Chapitre 2 - Caractéristiques électriques des structures élémentaires 47 1. Instrumentation et mesures électroniques 47 1.1. Méthode de mesure 4 fils 48 1.2. Analyseur de paramètres semiconducteurs 49 1.3. Capacimètre 51 2. Caractéristique d’une homojonction 52 2.1. Jonction à l’équilibre thermodynamique 52 2.2. Jonction hors équilibre : courant de diffusion 54 2.3. Phénomènes de recombinaisons dans la ZCE : V > 0 59 2.4. Les moyens niveaux d’injection 62 2.5. Les forts niveaux d’injection de courant 64 2.6. Conclusion 67 3. Caractéristique d’une double hétérostructure 67 3.1. Structure à l’équilibre thermodynamique 68 3.2. Courant de recombinaisons radiatives 69 4. Conclusion 72 Chapitre 3 - Caractéristiques optiques des structures élémentaires 73 1. Instrumentation et mesures optiques 73 1.1. Méthodes de mesures optiques 74 1.2. Analyseur de spectre optique 75 1.3. Mesure de puissance optique 87 1.4. Photodétecteurs à semi-conducteur 90 2. Propriétés optiques des semiconducteurs 101 2.1. Schéma de bande en fonction de k 102 2.2. Absorption et émission spontanée 103 2.3. Coefficient de recombinaison 108 2.4. Amplification optique 109 3. Caractéristiques optiques d’une structure élémentaire 111 3.1. La double hétérostructure 111 3.2. Les structures à puits quantiques 118 4. Conclusion 122 Chapitre 4 - Mesures électro-optiques et analyses de DELs 123 1. Analyse de data sheet 124 1.1. Partie électro-optique 124 1.2. Partie caractéristiques électro-optiques 127 1.3. Partie mécanique 130 1.4. Partie thermique 132 2. Analyses physico-chimiques 139 2.1. Contexte et objectifs 139 2.2. Analyses adaptées au boîtier 140 2.3. Analyses adaptées à la puce 145 2.4. Synthèse des analyses physico-chimiques 149 3. Analyses électro-optiques 153 3.1. Analyses d’une diode GaAs 153 3.2. Analyse d’une diode GaN 161 4. Conclusion 169 Chapitre 5 - Physique pour l’optoélectronique 171 1. Outils pour la physique du solide 171 1.1. Rappels des lois de Newton 171 1.2. Introductions des ondes 176 1.3. Algèbre de Dirac 183 1.4. Thermodynamique statistique 189 2. Physique du semiconducteur 202 2.1. Méthode de calcul de la structure de bande 202 2.2. Propriétés électroniques 214 2.3. Propriétés optiques 235 3. Physique des interfaces 245 3.1. Phénomènes de surface 246 3.2. Interface entre deux solides 250 3.3. Caractéristiques d’une jonction Schottky 260 3.4. Caractéristiques d’un puits quantique 267 4. Conclusion 277 Index 279 Bibliographie |
Disponibilité (4)
| Cote | Support | Localisation | Statut | Emplacement | |
|---|---|---|---|---|---|
| SI8/2879 | Livre | BIB.DEP.ARCHITECTURE | Empruntable | Magazin | |
| SI8/2879 | Livre | BIB.FAC.ST. | Empruntable | Magazin | |
| SI8/2879 | Livre | BIB.FAC.ST. | Empruntable | Magazin | |
| SI8/2879 | Livre | BIB.FAC.ST. | Empruntable | Magazin |
Erreur sur le template
