Titre : | Etude de la non stoechiométrie dans le systém CeMo2 |
Auteurs : | Assia slimani, Auteur ; Mahmoud Omari, Directeur de thèse |
Type de document : | Monographie imprimée |
Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Kheider, 2008 |
Format : | 75P / 30/20 |
Langues: | Français |
Langues originales: | Français |
Mots-clés: | Ce1-ySmyO2-0.5y-x,Samarium,Nonstoéchiomtri,Conductivité,Thermogravimetrie. Ce1-ySmyO2-0.5y-x,Nonstoichiomtry,Conductivity,Thermogravimetry. |
Résumé : |
Les différents résultats obtenus ont montré que pour chaque composition étudiée le calcul de la non stoechiométrie en oxygène basé sur le modèle proposé, s’accorde bien avec les données thermogravimétriques rapportées dans la littérature la conductivité calculée est proportionnelle à la concentration du dopant. La conductivité suit une loi de la forme (pO2)-1/4 à pO2 faible
La stabilité chimique de la phase Ce1-ySmyO2-0.5y-x contre l réduction est déplacée vers le Po2 bas quand la température ou la concentration de Sm3+ croit. A partir de la dépendance des constantes de réaction de défauts avec la température, les variations de l’enthalpie et l’entropie standard de Ce1-ySmyO2-0.5y-x ont été déterminées. Different results were shown that for each studied composition, calculated nonstoichiometry of oxygen based on the proposed mode is adapted to the themogravimetric data reported in literature. A calculated conductivity was proportional to the dopant. The conductivity under the formule (pO2)-1/4. Chemical stability of the phase Ce1-ySmyO2-0.5y-x against reduction was displaced at low pO2 when temperature or samarium concentration increase.from equilibrium constants, of the defects reaction with temperature, enthalpy change and standard entropy of Ce1-ySmyO2-0.5y-x were determined. |
Sommaire : |
Introduction 04
1-Liaisons entre les atomes 05 1-1-liaison covalente 05 1-2-liaison ionique 06 1-3-liaison métallique 06 1-4-liaison hydrogène 06 1-5-liaison de Van der Waals 06 2-Terres-rares 07 2-1-configuration électronique 07 2-2-catalyse 07 3-Cristal parfait et cristal réel 08 4-Définition de la nonstoechiométrie 09 5-Types des défauts et leurs dimensionnements 11 5-1-Généralités sur la structure cristalline 11 5-2-défauts ponctuels (dimension 0) 11 5-3-défauts linéaires (dimension 1) 12 5-4-défauts surfaciques (dimension 2) .12 5-5-défauts volumiques (dimension 3) .13 6- Défauts Ponctuels 14 6-1-défauts intrinsèques 14 6-2-défauts extrinsèques 15 7- Impuretés dans les composés non stoechiométriques 15 8- Notation de Kroger Et Vink 17 9- charge des éléments de structure ………. . 17 10- concentration des défauts 19 11-Diffusion 21 11-1- Echange interatomique 22 11-2- Mécanismes faisant appel à des défauts ponctuels 22 11-2-1- Mécanisme lacunaire 22 11-2-2- Mécanisme interstitiel 23 12-Pile à combustible……………………………………. 25 12-1-Introduction sur la pile à combustible 25 12-2-Généralités sur la pile à combustible 26 12-3-Découverte de la pile à combustible 27 12-4-Principe de fonctionnement de la pile 28 12-5-Les différentes familles de la pile à combustible 30 12-6- Paramètre de critère d’une pile combustible 31 12-6-1- Température de fonctionnement 31 12-6-2- Contraintes de volume et masse 31 12-6-3- Durée de vie 31 Bibliographie 32 Introduction à l’oxyde de cérium 34 1-Modèle de défaut chimique 36 1-1- Bilan de formation de l’oxygène déficitaire 36 2- Condition de formation de l’oxygène déficitaire 37 2-1- Condition de neutralité électrique 37 2-2- Condition de conservation de masse 38 3- Description mathématique du système chimique 38 3-1- Définition du programme proposé 38 3-2- Détermination des différentes concentrations 39 4-Résultats et discussion 40 4-1- Calcul des concentrations des différentes espèces présentes 40 5- Etude de la nonstoiciometrie 44 5-1- Etude de la nonstoiciometrie en fonction de la température 44 5-2- Etude de la nonstoiciometrie en fonction de la composition 47 Conclusion 50 Bibliographie 51 1-Conductivité ionique dans les solides 52 2-Conductivité électronique 55 2-1-Description d’une structure en bande d’énergie 55 3-Ionisation des lacunes 56 4-Métal, isolant, semi- conducteur selon le remplissage à T=0°K 56 4-1-Semi-conducteur 57 4-2-Semi-conduction intrinsèque 58 4-2-1-Dopage de type N 59 4-2-2-Dopage de type P 60 5-Etude électrique du système Ce1-ySmyO2-0.5y-x 62 5-1- Etude de la conductivité en fonction de la température 62 5-1-1-Mobilité des porteurs de charge 62 Biblographie 65 1-Rappel sur quelques concepts fondamentaux 66 2-Variation du nombre de particule et la composition 68 3-Enthalpie et entropie molaire partielles de l’oxygène 68 4- Enthalpie et entropie standard de réaction de formation de défauts 76 Conclusion 79 Bibliographie 80 Conclusion générale 81 |
Disponibilité (1)
Cote | Support | Localisation | Statut | Emplacement | |
---|---|---|---|---|---|
TH/0099 | Mémoire de magistere | BIB.FAC.ST. | Empruntable | Salle de mémoires et de théses |
Documents numériques (1)
Texte intégral URL |
Erreur sur le template