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L'effet de la frèquence et des pi-ges profonds sur la caractèristique capacitè_tension d'une jonction P+n au silicium

Adel Hezbra, Auteur ; Achour Saadoune, Auteur ; lakhdar dehimi, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Kheider | 2001

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Etude analytique de l'efficacite de de collection de charge dans les detecteurs de particules au silicium

abdelmalek sekak, Auteur ; lakhdar dehimi, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Kheider | 2002

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Extraction des paramètres électrique d'une diode à barrière de Schottky (SBD) à base de phosphure d'indium de type n (n-InP) par I-V-T et C-V-T)

abdallah Fritah, Auteur ; lakhdar dehimi, Directeur de thèse | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Kheider | 2017

RESUME : La jonction métal-semiconducteur utiliser comme redresseur est une structure fondamentale dans l’industrie des semiconducteurs, puisqu’elle est utilisée dans des importants dispositifs comme les transistors à effet de champ (MESFET [...]

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