| Titre : | Simulation de la repance des piéges profonds à la tension de la grille d'un transistor à effet de champs en arséniure de gallium (Gaas Mesft T) |
| Auteurs : | Nadjoua Djaalal, Auteur ; Sengouga Nouredine, Directeur de thèse ; نور الدين سنقوقة, Auteur |
| Type de document : | Monographie imprimée |
| Editeur : | Biskra [Algerie] : Université Mohamed Kheider, 2007 |
| Format : | 78.P / Ill / 30/20 cm |
| Accompagnement : | CD |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Français |
| Résumé : |
La réponse des pièges profonds localisés dans le substrat d’un transistor à effet de champ en GaAs (MESFET GaAs) à une tension inverse appliquer sur sa grille est un phénomène étrange.
Dans ce travail ce phénomène est simulé numériquement par la méthode des différences finies. On montre qu’une faible tension appliquer sur la grille peut modifier la position du niveau d’énergie des pièges profonds par rapport au niveau de Fermi dans le substrat. L’augmentation de la tension a un effet sur l’occupation seulement si la densité de ces pièges dépasse un certain seuil. Les pièges donneurs réduit l’effet des pièges accepteurs lorsqu’ils sont présents avec une densité importante. La présence des pièges accepteurs dans le substrat augmente la zone de charge d’espace dans le canal et diminue le courant. La jonction canal substrat devient une jonction symétrique en présence des pièges et le substrat semi isolant devient un semi conducteur car la densité des porteurs libres augmente. |
| Sommaire : |
Résumé Remerciement. Liste des symboles Sommaire Introduction 1 Transistor à effet de champ GaAs 1.1 Introduction…. 1.2 Structure cristalline de AsGa… 1.3 Propriétés de l'AsGa 1.4 préparation de l'AsGa 1.4.1 Technique de croissance de volume 1.4.2 Production des couches actives 1.5 Le Transistor MESFET AsGa. 1.5.1 structure Générale 1.5.2 Principe de fonctionnement du MESFET 1. 5.3 Caractéristiques statique 1.5.4 Caractéristiques de Saturation 2 Les pièges profonds et leurs effets dans les MESFETs GaAs 2.1Introduction 2.2Definitions 2.3Cinétique de capture et d'émission 2.4Evolution transitoire des porteurs de pièges. 2.5Principe d'équilibre 2.6Techniques de caractérisation des niveaux profonds 2.6.1Spectroscopie Transitoire des niveaux profonds (DLTS) 2.6.2Principe de la technique 2.6.3Paramètres des pièges évalues par la DLTS. 2.7Effet des pièges profonds. 2.7.1Effet de substrat 2.8Les pièges a trou 3 Modélisation et calcul numérique 3.1Introduction 3.2Discrétisation spatial de la structure. 3.3Les équations de base pour l'analyse statique 3.4Discrétisation des équations par la méthode des différences finies 3.5Définition des conditions initiales et des conditions aux limites. 3.6Résolution du système d'équations par la méthode récursive 4 Résultats et discussions 4.1 Introduction 4.2 Le profil de potentiel électrique en absence des pièges profonds . 4.3 L' effet des pièges accepteurs 4.4 L' effet des pièges donneurs 4.5 L’effet des pièges donneurs avec des pièges accepteurs 4-6 La réponse des pièges profonds quand NTA>NTD. 4-7 La réponse des pièges profonds quand NTD>NTA.… 5 Conclusion Annexe A. Annexe B.. Bibliographie |
Disponibilité (2)
| Cote | Support | Localisation | Statut | Emplacement | |
|---|---|---|---|---|---|
| TH/0056 | Mémoire de magistere | BIB.FAC.ST. | Empruntable | Salle de mémoires et de théses | |
| TH/0056 | Mémoire de magistere | BIB.FAC.ST. | Empruntable | Salle de mémoires et de théses |
Documents numériques (1)
 Texte intégral URL |
Erreur sur le template
