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Électrostatique cours et exercices [texte imprimé] / Rachid Abdessemed, Auteur ; Aggoune M S, Auteur ; Kadid F Z, Auteur . - [S.l.] : Presses de l'université de batna, 1980 . - 326.p : ill ; 23.5/15.5 cm.
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Electrostatique électrocinétique magnétostatique / Hassan Abbassi
Electrostatique électrocinétique magnétostatique : Résumés de cours, exercices et problèmes résolus [texte imprimé] / Hassan Abbassi, Auteur . - Tunis : Centre de publication universitaire, 2010 . - 235P : ill ; 24/15.5cm.
990.00DA
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Electrostatique et magnétostatique / Tamer Bécherrawy
Electrostatique et magnétostatique [texte imprimé] / Tamer Bécherrawy, Auteur . - [S.l.] : Germes Lavoisier, [s.d.] . - 368 p : ill ; 23/15.5 cm.
ISBN : 978-2-7462-3148-1
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Électrostatique et magnétostatique [texte imprimé] / Michel Saint Jean (1957-....), Auteur ; Janine Bruneaux, Auteur ; Jean Matricon, Auteur . - Belin, 2002 . - 271 p. : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm. - (Belin sup. Physique. Physique) .
ISBN : 978-2-7011-3348-5 : 19,90 EUR
La couv. porte en plus : "DEUG, licence"
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Index. décimale : 537.2 Electrostatisme Type de document : Livres Réservation
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Electrostatique et magnétostatique : 22 exercices corrigés : rappels de cours [texte imprimé] / Hervé Dornier ; Dominique. Obert . - Vuibert supérieur, c1997. . - 241 p. ; 18 cm.. - (Nickel. Physique, ISSN 1279-8061.) .
ISBN : 978-2-7117-2464-2
DEUG sciences, prépas scientifiques.
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Index. décimale : 004.65 Réseaux d'ordinateurs Sommaire : Sommaire:
ELECTROSTATIQUE
Champs et potentiels électrostatiques
Théorème de Gauss
Conducteurs en équilibre électrostatique
Condensateurs
Energie électrostatique
Actions mécaniques entre conducteurs en équilibre électrostatique
Le dipôle électrostatique
Champ au voisinage d'un axe
Etude d'une distribution volumique
Electrodes en anneau et en chapeau
Cylindre conducteur dans un champ uniforme
Capacité d'un condensateur diédrique
Etude d'une ligne bifilaire
Condensateur plan à armature mobile
Dipôle dans un champ uniforme
Modèle du feuillet pour une membrane cellulaire
MAGNETOSTATIQUE
Champs magnétiques créés par les courants
Loi de Biot et Savart
Théorème d'Ampère
Le potentiel vecteur
Circuits filiformes
Travail des forces magnétiques
Energie magnétique
Le dipôle magnétique
Bobine conique
Circuit polygonal fermé
Nappes planes de courants surfaciques
Etude d'une bobine multicouche
Nappe de courant surfacique
Pression magnétique
Sphère supraconductrice
Couplage de circuits
Modèle classique d'un électronType de document : Livres Réservation
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Électrostatique et magnétostatique : rappels de cours et exercices [texte imprimé] / Janine Bruneaux, Auteur ; Michel Saint Jean (1957-....), Auteur ; Jean Matricon, Auteur . - Belin, 2002 . - 320 p. : ill., couv. ill. en coul. ; 24/17 cm. - (Belin sup. Physique. Physique) .
ISBN : 978-2-7011-3349-2
La couv. porte en plus : "DEUG, licence"
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Electrostatique, premiers cycles universitaires / Mohamed Akbi
Electrostatique, premiers cycles universitaires : charges et champs électriques ; l'essentiel du cours, applications, 50 exercices corrigés + 25 exercices supplémentaires [texte imprimé] / Mohamed Akbi, Auteur . - LMD SETI, DL 2005 . - 1 vol. (192 p.) : ill. ; 22 cm. - (Physique +) .
ISSN : 978-9961-958101--9
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Electrostatique : rappels de cours et exercices corrigés de physique [texte imprimé] / Émile Amzallag (1932-....), Auteur ; Ben aim Josseline, Auteur ; Piccioli Norbert, Auteur . - [S.l.] : ediscience, 1996 . - 248.p : ill ; 15/26cm.
ISBN : 978-2-84074-129-9
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Eléments de dynamique des solides et structures déformables / Rakotomanana r. Lalaonirina
Eléments de dynamique des solides et structures déformables [texte imprimé] / Rakotomanana r. Lalaonirina, Auteur . - [S.l.] : presses polytechniques et universitaires romandes, 2009 . - 597p. ; 24/15 cm.
ISBN : 978-2-88074-788-6
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Eléments finis pour les fluides incompressibles / azaiez mejdi
Eléments finis pour les fluides incompressibles [texte imprimé] / azaiez mejdi, Auteur ; Michel Deville (1945-....), Auteur ; mund ernest, Auteur . - [S.l.] : presses polytechniques et universitaires romandes, 2011 . - 340.p : ill. ; 16/25 cm.
ISBN : 978-2-88074-894-4
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Eléments de mécanique des structures / M Del Pedro
Eléments de mécanique des structures [texte imprimé] / M Del Pedro, Auteur . - [S.l.] : Paris: P.P.R.U, 2001 . - : ill.
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Emission photonique en espace confiné / Adel rahmani
Emission photonique en espace confiné [texte imprimé] / Adel rahmani, Auteur ; Frédérique de fornel, Auteur . - [S.l.] : Eyrolles, 2000 . - 192.P : ill ; 24/16 cm.
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Epreuves de physique : posées aux concours nationaux d'entrée aux cycles de formation d'ingénieurs [texte imprimé] / Mustapha Guermazi, Auteur ; Jlidi Jarry, Auteur ; Mohamed Bouaoun, Auteur . - Tunis : Centre de publication universitaire, 2007 . - 259p.
ISBN : 978-9973-373-83-0
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Équations intégrales de l'électromagnétisme / André Berthon
Équations intégrales de l'électromagnétisme : application aux problèmes axisymétriques, antennes et diffusion des ondes [texte imprimé] / André Berthon (19..-....), Auteur . - Ellipses, impr. 2011 . - 1 vol. (259 p.) : ill. ; 26 cm. - (Technosup (Paris), ISSN 1275-3955) .
ISBN : 978-2-7298-7081-2 : 39 EUR
La p. de titre et la couv. portent en plus : "électromagnétisme"
Bibliogr., 1 p. Index
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Index. décimale : 530.141 Type de document : Livres Réservation
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Équations de Maxwell, ondes électromagnétiques : cours, exercices et problèmes résolus [texte imprimé] / Michel Hulin, Auteur ; Nicole Hulin (1935-....), Auteur ; Denise Perrin (1931-....), Auteur . - 3e éd. . - Paris : Dunod, 1998 . - X-278 p. : ill., couv. ill. ; 26 cm.
ISBN : 978-2-10-003369-0
La couv. porte en plus : "DEUG sciences"
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(mauvais) 1 5 (excellent)
Equations de la physique mathematique appliquees / K Baddari
Equations de la physique mathematique appliquees [texte imprimé] / K Baddari, Auteur ; A Abbassov, Auteur . - [S.l.] : Office des publications universitaires, 2009 . - 406p. ; 28/20 cm.
ISBN : 978-9961-01-290-1
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Code-barres Cote Support Localisation Statut(disponibilité) Emplacement 01030002860002424 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002440 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002441 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002442 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Voir bib. architrecture 01030002860002443 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002444 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002445 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002446 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002447 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002449 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002450 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002451 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002452 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002453 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002454 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002455 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002456 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002457 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002458 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 01030002860002459 S4/0286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Magazin 2448 S4/286 Livre BIB.FAC.ST. Disponible Avis des lecteurs Aucun avis, ajoutez le vôtre !
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Equations de la physique mathemattique appliquees / K Baddari
Equations de la physique mathemattique appliquees [texte imprimé] / K Baddari, Auteur ; A Abbassov, Auteur . - [S.l.] : Office des publication universitaires, 2009 . - 406.p : ill ; 26.519 cm.
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L' esprit physique : en 50 problèmes [texte imprimé] / Daniel Bernard (1945-....), Auteur . - Paris (France) : Ellipses, 1998 . - 317 p. : ill., couv. ill. en coul. ; 24 cm.
ISBN : 978-2-7298-9861-8
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
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L' essentiel de la mécanique du point matériel et du système de deux points matériels / Bernard Gendreau
L' essentiel de la mécanique du point matériel et du système de deux points matériels : cours et exercices corrigés, classes préparatoires, premiers cycles universitaires [texte imprimé] / Bernard Gendreau, Auteur . - Paris (France) : Ellipses, 1993 . - 223 p. : ill., couv. ill. en coul. ; 17/26 cm.
ISBN : 978-2-7298-4306-9
Index
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Etude comparative de la dureté (hardness) des détecteurs / Kheira Ben naceur
Etude comparative de la dureté (hardness) des détecteurs [texte imprimé] / Kheira Ben naceur, Auteur ; Sengouga Nouredine, Encadreur ; سنجوقة نور الدين, Auteur . - Biskra (07000, Algerie) : Université Mohamed Kheider, 2006 . - 78.P : Ill ; 30/20 cm + CD.
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Résumé : Dans ce travail, l’effet des radiations sur une diode au silicium utilisée comme détecteur de particule est simulé numériquement. Ces radiations créent des défauts qui ont des effets indésirables et donc on peuvent dégrader les performances des détecteurs. L’étude est une comparaison de la dureté des détecteurs ayant différentes structures : p+ n- n+ et n+ p- p+. La dureté est caractérisée par les taux d’introduction des défauts (α) et (β). En partant des valeurs expérimentales de α et β, la tension de déplétion (Vdep) est évaluée à partir des caractéristiques capacité-tension en polarisation inverse pour différentes fluences d’irradiations (Φ) pour les deux structures. La densité des défauts crée par l’irradiation est proportionnelle à la fluence. La comparaison entre les deux structures (à régions actives de types n et p) est résumée dans les points suivants :
-Dans la structure p+ n- n+, la région active de type n se convertie au type p mais la région active p du détecteur n+ p- p+ devient fortement de type p avec l’augmentation de la densité du piége accepteur. Au contraire avec l’augmentation de la densité du piége donneur où le type n devient fortement de type n mais le type p se convertie au type n.
-la variation de la tension de déplétion du détecteur p+ n- n+ est plus important que celle du détecteur n+ p- p+. Donc, le détecteur n+ p- p+ est plus robuste vis-à-vis des radiations. Donc, il plus dure et peut avoir une durée de vie plus longue.
-L’effet des centres de recombinaison devient important lorsque les piéges accepteurs sont plus éloigné de la bande de valence tandis que les piéges donneurs sont plus éloigné de la bande de conduction.Type de document : Thése magister Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Statut(disponibilité) Emplacement 01120000610000126 TH/0061 Mémoire de magistere BIB.FAC.ST. Disponible Salle de mémoires et de théses 01120000610000127 TH/0061 Mémoire de magistere BIB.FAC.ST. Disponible Salle de mémoires et de théses 01120000610000128 TH/0061 Mémoire de magistere BIB.FAC.ST. Disponible Salle de mémoires et de théses Avis des lecteurs Aucun avis, ajoutez le vôtre !
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Etude des faces vicinales de silicium (100) et de leur oxydation / Bensalah, Yassine
Etude des faces vicinales de silicium (100) et de leur oxydation [texte imprimé] / Bensalah, Yassine, Auteur ; pierre Pinard, Encadreur . - Biskra (B.P.145,R.P., 07000, Algerie) : Université Mohamed Khider, 1988 . - 141p ; 30CM.
Langues : Français (fre)
Type de document : Thése doctorat Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Statut(disponibilité) Emplacement 01120004890000672 TH/0489 Théses de doctorat BIB.FAC.ST. Disponible Salle de mémoires et de théses Avis des lecteurs Aucun avis, ajoutez le vôtre !
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Etude des proprietes electroniques et optiques des heterstructures et superreseaux [texte imprimé] / Gueddim Ahmed, Auteur ; Nadir Bouarissa, Encadreur . - Biskra (07000, Algerie) : Université Mohamed Kheider, [s.d.] . - 110 p ; 30 CM + CD.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : nitrures dilués propriétés optoélectroniques mécaniques discontinuités
des bandes méthode des pseudopotentiels méthode du champ de forces de valence théorie de Van de Walle.
Dilute nitrides optoelectronic mechanical properties band
discontinuities pseudopotential method valence-force-field method Van de Walle theory.
خلائط النتروجين المميعة ، الخصائص الإلكترونية ، الضوئية ، الميكانيكية ،
انقطاع العصابات ، طريقة الكمون الكاذب ، طريقة حقل قوى التكافؤ ، نظرية فان دي فال .Résumé : Dans ce travail nous avons présenté les propriétés optoélectroniques et mécaniques
des nitrures dilués GaM1-xNx (M = As, Sb) à structure zinc-blende pour des concentrations
d'azote allant de 0 à 0.05 en utilisant la méthodes des pseudopotentiels dans
l'approximation du cristal virtuel et la méthode du champ de forces de valence.
Nous avons trouvé que l'incorporation de faibles quantités d'azote dans le GaM1-xNx
réduit considérablement les différents gaps d'énergie et conduit à un gap négatif dans le
GaSb1-xNx. Les masses effectives des porteurs de charge ainsi que le facteur d'ionicité
diminuent alors que la largeur de la bande de valence, l'indice de réfraction et les
constantes diélectriques statique et de haute fréquence augmentent avec l'augmentation de
la concentration d'azote.
Toutes les propriétés mécaniques excepté le facteur d'anisotropie et le coefficient de
Poisson augmentent avec l'introduction davantage d'atomes d'azote. Le désordre
compositionnel affecte toutes les grandeurs étudiées.
Ont été également étudiées les discontinuités des bandes de conduction et de
valence au niveau des hétérointerfaces GaM1-xNx/GaM1-yNy dans la direction [1 0 0] et pour
0 ≤ x, y ≤ 0.05 en utilisant la théorie de Van de Walle. Nous avons trouvé que ces
discontinuités des bandes de conduction et de valence sont respectivement de signe négatif
et positif pour y < x et qu'elles inversent leurs signes respectifs dans le cas contraire.
L'alignement des bandes est de type I (straddling) sur toute la gamme des compositions x
et y. Les gaps contraints diminuent non linéairement lorsque la concentration d'azote
augmente.
In this work we have studied the optoelectronic and mechanical properties of GaM1-
xNx (M = As, Sb) dilute nitrides with zinc-blende structure for nitrogen concentration in the
range 0-0.05, by means of the pseudopotential method and the valence-force-field model.
It is found that the incorporation of small amounts of nitrogen in GaM1-xNx reduces the
energy band gaps and leads to a negative band gap in GaSb1-xNx. Carriers' effective masses
and ionicity factor decrease whereas the valence band width, the refractive index, the static
dielectric constant and the high frequency one increase as the nitrogen concentration goes
from 0 to 0.05.
All the mechanical properties except for the anisotropy factor and the Poisson's
ratio increase with increasing nitrogen concentration. The compositional disorder affects
all the examined quantities.
We have also examined the conduction- and valence-band offsets at the
heterointerfaces GaM1-xNx/GaM1-yNy along the [1 0 0] direction for 0 ≤ x, y ≤ 0.05 using
the Van de Walle theory. The conduction- and valence-band offsets are respectively of
negative and positive sign when y < x and they invert their respective sign in the reverse
case. The band alignment is of type I (straddling) over all the range of compositions x and
y. The energy band gap of he strained material decrease non-linearly when the nitrogen
concentration increases.
درسنا في هذه الرسالة الخصائص الإلكترونية و الضوئية و الميكانيكية لخلائط النتروجين المميعة
0.05 باستخدام - في طور كبريتات الزنك تبعا لتغير تركيز النتروجين في ا GaM1-xNx (M = As, Sb)
طريقتي الكمون الكاذب و حقل قوى التكافؤ.
و قد وجدنا أن الفواصل الطاقوية تتناقص عندما يزداد تركيز النتروجين مع ملاحظة ظهور فاصل
و كذلك الأمر مع كتل حوامل الشحنات الفعالة و معامل الأيونية . و على GaSb1-xNx طاقوي سالب في
العكس من هذا ، فإن عرض عصابات التكافؤ و معامل الانعكاس و ثابتي العزل السكوني و عالي التردد ،
كلها تتزايد مع ارتفاع تركيز النتروجين .
كما وجدنا أن الخصائص الميكانيكية كلها عدا معاملي عدم التماثل و بواسون تسلك نفس سبيل
الازدياد ، و أن كل المقادير المدروسة تتأثر بالاضطراب التركيبي .
و قد فحصنا كذلك انقطاعات عصابات التوصيل و التكافؤ على مستوى واجهات الارتباط
0 باستخدام نظرية فان دي فال . و استنتجنا أن هذه ≤ x, y ≤ لأجل 0.05 GaM1-xNx/GaM1-yNy
و تنعكس إشاراا في y < x الانقطاعات ذات إشارات سالبة و موجبة على التوالي في حال ما إذا كان
في حين أن الفواصل الطاقوية في المواد اهدة (straddling) عكس هذه الحالة ، و أن التصفيف من النمط
تتناقص لاخطيا إذا ما ارتفع تركيز النتروجين .
Sommaire : Remerciements
Table des Matières
Liste des Tableaux
Table des Figures
Introduction
Chapitre 1 : Nitrures Dilués
1.1. Introduction
1.2. Historique et état de l'art
1.3. Synthèse des données scientifiques sur l'alliage GaAs1-xNx
1.3.1. Propriétés communément admises
1.3.2. Localisation des porteurs
1.3.2.2. Origine de la localisation des porteurs
1.3.3. Effet du recuit
1.3.4. Propriétés de transport
Table des Matières
1.3.5. Modèles actuels de calcul
1.3.6. Structure cristalline
1.4. Conclusion
2.1. Introduction
2.2. Méthode des pseudopotentiels
2.2.1. Concept du pseudopotentiel
2.2.2. Modèles du pseudopotentiel
2.2.2.1. Modèle local
2.2.2.2. Modèle non local
a. Modèle d'Ashcroft
b. Modèle de Heine-Abarencov
c. Modèle de Gauss
2.3. Méthode empirique des pseudopotentiels
2.3.1. Approximation empirique locale
2.4. Théorie des alliages semiconducteurs
2.4.1. Approximation du cristal virtuel .
2.4.2. Etude d'un cristal ternaire
2.5. Calcul des propriétés mécaniques
2.6. Calcul des discontinuités de bandes
2.7. Conclusion
Chapitre 3 : Résultats et Discussions
3.1. Introduction
3.2. Etude du nitrure dilué GaAsN
3.2.1. Propriétés optoélectroniques ..
3.2.1.1. Gaps d'énergie
3.2.1.2. Largeur de la bande de valence
3.2.1.3. Masses effectives des électrons et des trous
3.2.1.4. Gap antisymétrique
3.2.1.5. Facteur d'ionicité
47Table des Matières
3.2.1.6. Indice de réfraction et constantes diélectriques
3.2.2. Propriétés mécaniques
3.2.2.1. Constantes élastiques
3.2.2.2. Module de compression, Modules de shear et d'Young
3.2.2.3. Facteur d'anisotropie et coefficient de Poisson
3.2.3. Discontinuités des bandes
3.2.3.1. Discontinuités des bandes de conduction
3.2.3.2. Discontinuités des bandes de valence
3.2.3.3. Discontinuités de bandes au niveau des hétérointerfaces
GaAs1-xNx/GaAs et GaAs1-xNx/GaAs0.98N0.02
3.2.3.4. Gaps énergétiques relaxé et contraints
3.3. Etude du nitrure dilué GaSb1-xNx
3.3.1. Propriétés optoélectroniques
3.3.1.1. Gaps d'énergie
3.3.1.2. Largeur de la bande de valence
3.3.1.3. Masses effectives des électrons et des trous
3.3.1.4. Gap antisymétrique
3.3.1.5. Facteur d'ionicité
3.3.1.6. Indice de réfraction et constantes diélectriques
3.3.2. Propriétés mécaniques
3.3.2.1. Constantes élastiques
3.3.2.2. Module de compression, Modules de shear et d'Young
3.3.2.3. Facteur d'anisotropie et coefficient de Poisson
3.3.3. Discontinuités des bandes
3.3.3.1. Discontinuités des bandes de conduction
3.3.3.2. Discontinuités des bandes de valence
3.3.3.3. Discontinuités de bandes au niveau des hétérointerfaces
GaSb1-xNx/GaSb et GaSb1-xNx/GaSb0.98N0.02
3.3.3.4. Gaps énergétiques relaxé et contraints
3.4. Conclusion
Conclusion
Bibliographie.
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Etude de la quantification de la conductance dans les transistors à effet de champ à grande mobilité électronique / Nouadji Malika
Etude de la quantification de la conductance dans les transistors à effet de champ à grande mobilité électronique [texte imprimé] / Nouadji Malika, Auteur ; S MIMOUNE M, Encadreur . - Biskra (07000, Algerie) : Université Mohamed Kheider, 2005 . - 85 p ; 30 cm + CD.
Langues : Français (fre)
Résumé : Nous avons étudié le transport quantique des porteurs dans un transistor à effet de
champ à grande Mobilité Electronique HEMT à hétérojonction GaAs/AlGaAs par un champ
électrique externe (polarisation de drain) en fonction de la polarisation de la grille. Nous
avons montré quand la taille du transistor est réduite vers l’échelle nanométrique de sorte que
les effets quantiques deviennent importants. Les caractéristiques opérationnelles du transistor
sont dominées par l'effet de la quantification de la conductance à la polarisation infiniment
petite du drain et à la température zéro.
Nous présentons dans ce travail une solution numérique basée sur la méthode des volume
finis pour montre les effets de la conductance
قمنا بدراسة النقل الكمي للحاملآت داخل ترانزيستورتحت تأثير الحقل ذو حركية الألكترونية الكبير ة
بدلالة الاستقطاب. GaAs/AlGaAs ذو الوصلة الغير متجانسة HEMT
لقد تبين أنه كلما صغر حجم الترونزيستور الى رتبة النانومتر يصبح الأثرالكمي ذو أهمية.
المميزات العملية للترانزيستور أضعفت (نقصت) عن طريق أثر تكميم القابلية تحت ا ستقطاب صغير للمخرج
وكذلك تحت درجة حرارة صغيرة.
وقدمنا في هذا العمل حل عددي يعتمد على طريقة الحجم المنتهي من أجل حساب القابليةSommaire : Introduction Générale .01
Chapitre 1: Généralités
1.1. Introduction 03
1.2. Déférents types d’hétérojonction 03
1.2.1. Jonction Métal-Semiconducteur 03
1.2.1.1. Diagramme énergétique au voisinage de la jonction 03
1.2.1.2. Jonction polarisée 06
1.2.2. Jonction Semi-conducteur -Semi-conducteur 06
1.2.2.1. Diagramme énergétique au voisinage de la jonction 07
1.2.2.2. Jonction polarisée 09
1.3. Transistor à effet de champ GaAs 09
1.3.1. Historique et généralités 9
1.3.2. Transistor MESFET GaAs 10
1.3.2.1. Description technologique du MESFET 10
1.3.2.2. Principe de fonctionnement du MESFET 12
1.3.3. Transistors à hétérojonction (HEMTs) 14
1.3.3.1. Historique et généralités des transistors à hétérojonction 14
1.3.3.2. Hétérojonction GaAlAs/GaAs 15
1.3.3.3. Description technologique du HEMT conventionnel 16
1.3.3.4. Principe de fonctionnement du HEMT conventionnel 18
1.3.3.5. HEMT pseudomorphique (PHEMT) 19
1.3.3.6. HEMT de puissance : HFET 20
1.4. Gaz d’électrons dans le HEMT 21
Chapitre 2: Modèles Mathématiques du gaz d’électrons dans le HEMT
2.1. Introduction 25
2.2. Phénomène électromagnétique 25
2.3. Phénomène quantique 28
2.3.1. Approximation de la masse effective 28
2.3.2. Energie potentielle des électrons 29
2.4. Formation du gaz d’électrons bidimensionnel 30
2.5. Propriétés élémentaires du gaz d’électrons 31
2.6. Mécanisme de diffusion dans un HEMT 37
vi
2.7. Transport classique 40
2.8. physique de transport balistique 42
2.8. Transport quantique 42
2.8.1. Observation des effets quantiques 43
2.8.2. Cinétique du transport quantique 45
2.8.3. Caractéristiques des porteurs de transport 48
Chapitre 3: Méthode des volumes finis dans le cas unidimensionnel
3.1 Introduction 52
3.2. Différentes techniques de résolution des équation aux dérivées partielles 52
3.2.1. Méthode des Différence Finis (MDF) 53
3.2.2. Méthode des Elément Finis (MEF) 53
3.2.3. Méthode des Volume Finis (MVF) 54
3.3. Méthodes de résolution des système d’équation algébriques 54
3.3.1. Méthodes directes 54
3.3.2. Méthodes itératives 55
3.4. Conclusion sur les méthodes itératives 56
3.5. Formulation unidimensionnel de l’équation de Poisson par la MVF 56
3.6. Résolution des équations algébriques 9
3.7. Formulation unidimensionnel de l’équation de Schrödinger par la MVF 61
3.7. Méthodes de résolution et algorithme de couplage 62
Chapitre 4: Mdélisation du HEMT
4.1. Introduction 65
4.2. Modèle utilisé 65
4.3. Etude électrostatique 68
4.4. Etude quantique 70
4.5. Effet de la tension de polarisation de la grille 75
4.6. Calcul de la conductance… 80
Conclusion Générale 82
Bibliographie 83Type de document : Thése magister Réservation
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Exercice de gravimétrie / A Dounia
Exercice de gravimétrie [texte imprimé] / A Dounia, Auteur . - Office des publications universitaires, 1984 . - 79.p : ill ; 27/19 cm. - (Le cours des sciences de la terre) .
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Exercices corriges avec rappel de cours / Ms Maalem
Exercices corriges avec rappel de cours : magnétostatique,phénomène d'induction et courant alternatif [texte imprimé] / Ms Maalem, Auteur . - M.m.s (Alger), 1994 . - 159.p : ill ; 22.5/15.5 cm. - (Sciences exactes physique) .
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Exercices corrigés de mécanique des milieux continus [texte imprimé] / Dumontet H., Auteur . - [S.l.] : Paris : Dunod, 1998 . - : ill.
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Exercices corrigés de mécanique quantique [texte imprimé] / Jean Hladik (1935-....), Auteur . - Paris : Masson, 1998 . - 183 p. : ill ; 16/24 cm.
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Exercices corrigés de physique atomique [texte imprimé] / Held B., Auteur . - [S.l.] : Paris : Masson, 1992 . - : ill.
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Exercices corrigés de Physique et chimie, options MP, posés à l'oral des concours ENSI / Pierre Debray
Exercices corrigés de Physique et chimie, options MP, posés à l'oral des concours ENSI [texte imprimé] / Pierre Debray (1964-....), Auteur ; Pierre Metras, Auteur . - Paris (France) : Ellipses, 1987 . - 1 vol. (128 p.) ; 25 cm.
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Exercices corrigés de physique posés aux oraux des concours de Polytechnique et des ENS [texte imprimé] / Éric Alby, Auteur ; Benoît Froment, Auteur . - Ellipses, 1998 . - 207 p. : ill., couv. ill. ; 25 cm. - (Les épreuves corrigées des grandes écoles scientifiques, ISSN 0246-5507) .
ISBN : 978-2-7298-4872-9 : 130 F
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