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simulation bidimontionelle de l'éffet des piéges profonds dans le substrat sur les catastristique des transistors à effet de champ en arséniure de gallium(gaAs FETs) / abdslam nora amele
simulation bidimontionelle de l'éffet des piéges profonds dans le substrat sur les catastristique des transistors à effet de champ en arséniure de gallium(gaAs FETs) [texte imprimé] / abdslam nora amele . - 2013 : Universite Mohamed Khider, Biskra.
Langues : Français (fre) |
Exemplaires
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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16000706 | T PHY/29 | Thése | Bibliothéque de la faculté des sciences axactes | Physique | Exclu du prêt |